IXSN 80N60BD1
Fig. 1. Output Characte ristics
@ 25 Deg. C
Fig. 2. Extended Output Characte ristics
@ 25 de g. C
80
70
60
50
V GE = 17V
15V
13V
11V
300
270
240
210
180
V GE = 17V
15V
13V
11V
40
150
30
9V
120
20
90
60
9V
10
0
7V
30
0
7V
0.3
0.6
0.9
1.2 1.5 1.8
V C E - Volts
2.1
2.4
2.7
3
0
1
2
3
4 5
V C E - Volts
6
7
8
9
80
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125 Deg. C
1.6
Fig. 4. De pende nce of V CE(sat) on
Tem perature
70
60
V GE = 17V
15V
13V
11V
1.5
1.4
V GE = 15V
I C = 160A
50
1.3
40
9V
1.2
30
1.1
1.0
I C = 80A
20
10
0
7V
0.9
0.8
0.7
I C = 40A
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
1.8
2.1
2.4
2.7
3
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
10
V CE - Volts
Fig. 5. Collector-to-Em itter Voltage
vs . Gate-to-Em iiter voltage
320
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Input Adm ittance
9
8
7
6
5
I C = 160A
80A
40A
T J = 25oC
280
240
200
160
120
4
3
2
80
40
0
T J = 125oC
25oC
-40oC
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
5
6
7
8
9
10
11
12
13
? 2004 IXYS All rights reserved
V G E - Volts
V G E - Volts
相关PDF资料
L17D438SP TOOL INSERT/EXTRACT FOR 17RR
L595200 CONTROL CURRNT TRNSFMR 200A IART
LC4HW-R6-DC24VS COUNTER DIGITAL 24VDC SCREW TERM
LCS-10 LIQUID LEVEL CONTROL
LD4006P0 COUNTER 6 DIGIT DUAL 4.0" RED
LD412460 DIODE MOD ISO DUAL 2400V 600A
LIRT220A CONTROL RELAY CURRENT 220VAC
LNXC2000 COUNTER DUAL PRESET 115VAC
相关代理商/技术参数
IXSP10N60B2D1 功能描述:IGBT 晶体管 10 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXSP15N120B 功能描述:IGBT 晶体管 30 Amps 1200V 3.4 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXSP16N60 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:Low V CE(sat) IGBT - Short Circuit SOA Capability
IXSP20N60B2D1 功能描述:IGBT 晶体管 20 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXSP24N60B 功能描述:IGBT 晶体管 48 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXSP2N100 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 3A I(C) | TO-220AB
IXSP2N100A 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 3A I(C) | TO-220AB
IXSQ10N60B2D1 功能描述:IGBT 晶体管 10 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube